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| 规格书 |
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| 文档 |
SOT-93 Bipolar Transistors 03/Apr/2012 |
| 标准包装 | 300 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 4V @ 2.5A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 3A, 4V |
| 功率 - 最大 | 3.5W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-218-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-93 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3SOT-93 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 10 A |
| 最小直流电流增益 | 40@1A@4V|20@3A@4V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.3A@3A|4@2.5A@10A V |
| 最大集电极基极电压 | 120 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 80000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 包装宽度 | 4.9(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 80000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 120 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | SOT-93 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 15.2(Max) |
| 包装高度 | 12.2(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 4V @ 2.5A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-93 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 3.5W |
| 封装/外壳 | TO-218-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 3A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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